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IRFP460 Transistor

IRFP460 Transistor

Transistortyp: MOSFET
Steuerkanaltyp: N-Kanal
Maximale Verlustleistung (Pd): 250 W
Maximale Drain-Source-Spannung |Vds|: 500 V

Transistortyp: MOSFET
Steuerkanaltyp: N-Kanal
Maximale Verlustleistung (Pd): 250 W
Maximale Drain-Source-Spannung |Vds|: 500 V

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7 00 €

Lieferung Mi, 24 Jun - Fr, 26 Jun

10,00 € Versandkosten

Gesendet von Griechenland

Von Rhoelect 4,0 (26)

4,0 (26 Bewertungen)

Griechenland

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Beschreibung

Beschreibung

Transistortyp: MOSFET
Steuerkanaltyp: N-Kanal
Maximale Verlustleistung (Pd): 250 W
Maximale Drain-Source-Spannung |Vds|: 500 V
Maximale Gate-Source-Spannung |Vgs|: 20 V
Maximale Gate-Schwellenspannung |Vgs(th)|: 4 V
Maximaler Drainstrom |Id|: 20 A
Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C
Gesamte Gate-Ladung (Qg): 100 nC
Anstiegszeit (tr): 15 nS
Drain-Source-Kapazität (Cd): 500 pF
Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rds): 0,27 Ohm

Hersteller

Siehe vollständige Beschreibung

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Transistortyp: MOSFET
Steuerkanaltyp: N-Kanal
Maximale Verlustleistung (Pd): 250 W
Maximale Drain-Source-Spannung |Vds|: 500 V
Maximale Gate-Source-Spannung |Vgs|: 20 V
Maximale Gate-Schwellenspannung |Vgs(th)|: 4 V
Maximaler Drainstrom |Id|: 20 A
Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C
Gesamte Gate-Ladung (Qg): 100 nC
Anstiegszeit (tr): 15 nS
Drain-Source-Kapazität (Cd): 500 pF
Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rds): 0,27 Ohm

Hersteller

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