Transistoren

IRFP450 Transistor

Die dritte Generation der Power MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler eine ideale Kombination aus hoher Schaltgeschwindigkeit, robustem Design, niedrigem R_DS(on) und wirtschaftlicher Effizienz.

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Beschreibung

Beschreibung

Das Gehäuse TO-247 wird in kommerziellen und industriellen Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungsniveaus den Einsatz von TO-220-Gehäusen nicht zulassen.

Das TO-247 ist ähnlich, übertrifft jedoch das ältere TO-218, da es eine elektrisch isolierte Befestigungsbohrung besitzt. Außerdem bietet es größere Isolationsabstände (creepage distances) zwischen den Anschlüssen, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsstandards zu erfüllen.

Eigenschaften

  • Beständigkeit gegenüber dynamischen Spannungsänderungen (Dynamic dV/dt Rating).
  • Widerstandsfähigkeit gegenüber wiederholten Blitzeinschlägen (Repetitive Avalanche Rated).
  • Die zentrale Befestigungslöcher sind elektrisch isoliert (Isolated Central Mounting Hole).
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit (Schnelles Schalten).
  • Einfache parallele Verbindung mehrerer MOSFETs (Ease of Paralleling).
  • Einfache Gate-Ansteuerungsanforderungen (Simple Drive Requirements).
  • Materialklassifizierung gemäß den Vishay-Konformitätsanforderungen (Material Categorization).

Hersteller

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Das Gehäuse TO-247 wird in kommerziellen und industriellen Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungsniveaus den Einsatz von TO-220-Gehäusen nicht zulassen.

Das TO-247 ist ähnlich, übertrifft jedoch das ältere TO-218, da es eine elektrisch isolierte Befestigungsbohrung besitzt. Außerdem bietet es größere Isolationsabstände (creepage distances) zwischen den Anschlüssen, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsstandards zu erfüllen.

Eigenschaften

  • Beständigkeit gegenüber dynamischen Spannungsänderungen (Dynamic dV/dt Rating).
  • Widerstandsfähigkeit gegenüber wiederholten Blitzeinschlägen (Repetitive Avalanche Rated).
  • Die zentrale Befestigungslöcher sind elektrisch isoliert (Isolated Central Mounting Hole).
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit (Schnelles Schalten).
  • Einfache parallele Verbindung mehrerer MOSFETs (Ease of Paralleling).
  • Einfache Gate-Ansteuerungsanforderungen (Simple Drive Requirements).
  • Materialklassifizierung gemäß den Vishay-Konformitätsanforderungen (Material Categorization).

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