Dieses Third Generation Power MOSFET von Vishay bietet Entwicklern und Elektroniktechnikern die beste Balance zwischen schneller Schaltgeschwindigkeit (fast switching), robuster Bauweise und geringem Leitungswiderstand. Das beliebte Gehäuse TO-220AB sorgt für eine niedrige thermische Impedanz, was eine effiziente Leistungsableitung von bis zu etwa 50W ermöglicht und es zu einer der zuverlässigsten und kostengünstigsten Lösungen auf dem Markt macht.
Transistoren
IRF840 Transistor
Der ideale Mix aus Geschwindigkeit, niedrigem RDS(on)-Widerstand und hoher Zuverlässigkeit für industrielle und gewerbliche Anwendungen!
Siehe vollständige BeschreibungBeschreibung
Beschreibung
Dieses Third Generation Power MOSFET von Vishay bietet Entwicklern und Elektroniktechnikern die beste Balance zwischen schneller Schaltgeschwindigkeit (fast switching), robuster Bauweise und geringem Leitungswiderstand. Das beliebte Gehäuse TO-220AB sorgt für eine niedrige thermische Impedanz, was eine effiziente Leistungsableitung von bis zu etwa 50W ermöglicht und es zu einer der zuverlässigsten und kostengünstigsten Lösungen auf dem Markt macht.