Der IRFZ34N ist ein fortschrittlicher N-Kanal Power MOSFET der HEXFET®-Technologie, konzipiert für außergewöhnlich niedrigen spezifischen Siliziumwiderstand. Er ist ideal für Anwendungen, bei denen hohe Schaltgeschwindigkeiten und Zuverlässigkeit erforderlich sind, während seine kompakte Größe ihn für beengte Räume geeignet macht.

Technische Daten (Specs):

• Typ: N-Kanal MOSFET
• Collector-Source-Spannung: 55V
• Strombelastbarkeit (Betrieb): 29A
• Durchgangswiderstand: 0,040Ω (40mΩ)
• Betriebstemperatur: Bis zu 175°C
• Gehäuse: TO-220

Hauptanwendungen:

• DC-DC-Wandler-Systeme: Spannungsumwandlung mit hoher Effizienz
• Batteriemanagement: Ideal für Ladeschaltungen und Batterieschutzkreise
• Motorgeschwindigkeitssteuerung (PWM): Sehr beliebte Wahl für Drohnen, ferngesteuerte Fahrzeuge und kleine elektrische Fahrzeuge
• Audio-Verstärker: Wird in Stromversorgungsschaltungen von Autoverstärkern verwendet
• LED-Beleuchtung: Steuerung leistungsstarker LED-Streifen mit Präzision