Dieser N-Kanal-Erweiterungsmodus-Leistungs-MOSFET wird unter Verwendung der proprietären Planar-Streifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Widerstand während des Betriebs zu reduzieren und bietet überlegene Schaltleistung sowie hohe Energieentladungstoleranz. Diese Geräte sind geeignet für Netzteile mit Wechselstrom, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Lampenbatterien.