Transistoren

STP60NF06 Transistor

Das STP60NF06 Power MOSFET N-Kanal 60V 60A (TO-220) ist ein leistungsstarker N-Kanal Power MOSFET der Technologie STripFET, entwickelt, um erstklassige Leistung in Schalt- und...

Das STP60NF06 Power MOSFET N-Kanal 60V 60A (TO-220) ist ein leistungsstarker N-Kanal Power MOSFET der Technologie STripFET, entwickelt, um erstklassige Leistung in Schalt- und Stromsteuerungsanwendungen zu bieten. Es ist bekannt für seinen äußerst niedrigen Innenwiderstand, der Energieverluste und Hitzeentwicklung während des Betriebs minimiert.

Technische...

Siehe vollständige Beschreibung Siehe vollständige Beschreibung

Erfahren Sie mehr über die Rechnungsstellung

Beschreibung

Beschreibung

Das STP60NF06 Power MOSFET N-Kanal 60V 60A (TO-220) ist ein leistungsstarker N-Kanal Power MOSFET der Technologie STripFET, entwickelt, um erstklassige Leistung in Schalt- und Stromsteuerungsanwendungen zu bieten. Es ist bekannt für seinen äußerst niedrigen Innenwiderstand, der Energieverluste und Hitzeentwicklung während des Betriebs minimiert.

Technische Daten (Specs):

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Collector-Source-Spannung: 60V (maximal)
  • Durchlassstrom: 60A
  • Widerstand im Leitungszustand: < 0,016Ω (16mΩ)
  • Thermische Verlustleistung: 110W
  • Gehäuse: TO-220
  • Schaltgeschwindigkeit: Sehr hoch, geeignet für Pulsweitenmodulation (PWM)

Hauptanwendungen:

  • Motorsteuerung: Ideal für Geschwindigkeitsregelung von Gleichstrommotoren mittels PWM
  • Energieumrichter (Inverter & DC-DC-Wandler): Weit verbreitet in USV-Systemen und Solarladungen
  • Elektronische Schalter: Perfekt für den Ersatz von Relais in Automatisierungsanwendungen (12V/24V)
  • Beleuchtungssteuerung: Helligkeitsregelung (Dimming) bei LED-Streifen und Hochleistungsbeleuchtungssystemen

Hersteller

Siehe vollständige Beschreibung

Beschreibung

Das STP60NF06 Power MOSFET N-Kanal 60V 60A (TO-220) ist ein leistungsstarker N-Kanal Power MOSFET der Technologie STripFET, entwickelt, um erstklassige Leistung in Schalt- und Stromsteuerungsanwendungen zu bieten. Es ist bekannt für seinen äußerst niedrigen Innenwiderstand, der Energieverluste und Hitzeentwicklung während des Betriebs minimiert.

Technische Daten (Specs):

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Collector-Source-Spannung: 60V (maximal)
  • Durchlassstrom: 60A
  • Widerstand im Leitungszustand: < 0,016Ω (16mΩ)
  • Thermische Verlustleistung: 110W
  • Gehäuse: TO-220
  • Schaltgeschwindigkeit: Sehr hoch, geeignet für Pulsweitenmodulation (PWM)

Hauptanwendungen:

  • Motorsteuerung: Ideal für Geschwindigkeitsregelung von Gleichstrommotoren mittels PWM
  • Energieumrichter (Inverter & DC-DC-Wandler): Weit verbreitet in USV-Systemen und Solarladungen
  • Elektronische Schalter: Perfekt für den Ersatz von Relais in Automatisierungsanwendungen (12V/24V)
  • Beleuchtungssteuerung: Helligkeitsregelung (Dimming) bei LED-Streifen und Hochleistungsbeleuchtungssystemen

Hersteller

0,95 €
10,00 €   Versandkosten