Das IRF640N N-Kanal Power MOSFET von Infineon im TO-220-Gehäuse ist ein Hochleistungs-Transistor mit einer maximalen Spannung von 200V, einem Strom von 18A, einem Leitwiderstand von 150mΩ und einer Leistungsfähigkeit von 150W. Ideal für Schalterschaltungen, Netzteile und industrielle Schaltungen bietet es schnelle Reaktionszeiten, Zuverlässigkeit und effizienten Leistungsübertragung in anspruchsvollen elektronischen Umgebungen.