Dieses fortschrittliche HEXFET® Power MOSFET nutzt modernste Fertigungstechnologien, um eine außergewöhnlich niedrige RDS(on) – Leitungswiderstand pro Siliziumfläche – und einen niedrigen E-PULSE-Wert zu erreichen. Speziell für die anspruchsvollen Bedingungen beim Betrieb in Plasma-Display-Panels (PDP) entwickelt, bietet es eine erstklassige Schaltgeschwindigkeit, hohe Spitzenstromfestigkeit und die Fähigkeit, bei hohen Temperaturen bis zu 175°C zu arbeiten.