AO4932

• Transistortyp: MOSFET
• Steuerkanaltyp: N-Kanal
• Maximale Verlustleistung (Pd): 2 W
• Maximale Drain-Source-Spannung (|Vds|): 30 V
• Maximale Gate-Source-Spannung (|Vgs|): 12(20) V
• Maximale Gate-Schwellen-Spannung (|Vgs(th)|): 2,1 V
• Maximaler Drainstrom (|Id|): 11(8) A
• Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C
• Gesamte Gate-Ladung (Qg): 7 nC
• Anstiegszeit (tr): 2,4(3,5) nS
• Ausgangskapazität (Coss): 128(110) pF
• Maximaler Einschaltwiderstand (Rds): 0,0125(0,019) Ohm
• Gehäuse: SO-8