Kondensatoren

Keramikkondensator 16V 0,1µF 1206 C1206X104G4HACTU

Der Keramikkondensator KEMET C1206x104g4hactu hat eine Kapazität von 0,1 μF und ist mit einem X8R-Dielektrikum der Klasse 2 gefertigt.

  • Typ: Keramik
  • Kapazität: 0,1 μF
  • Spannung: 16 V
  • Dielektrikum: X8R
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Der Keramikkondensator KEMET C1206x104g4hactu hat eine Kapazität von 0,1 μF und ist mit einem X8R-Dielektrikum der Klasse 2 gefertigt.

  • Typ: Keramik
  • Kapazität: 0,1 μF
  • Spannung: 16 V
  • Dielektrikum: X8R
  • Klasse: 2
  • Gehäusecode: 1206 (3216 metric)
  • Länge: 3,3 mm
  • Höhe: 1,6 mm
  • Betriebstemperatur: Von -55 °C bis +150 °C
  • Stückzahl: 1
Siehe vollständige Beschreibung Siehe vollständige Beschreibung

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Beschreibung

Beschreibung

Der Keramikkondensator KEMET C1206x104g4hactu hat eine Kapazität von 0,1 μF und ist mit einem X8R-Dielektrikum der Klasse 2 gefertigt.

  • Typ: Keramik
  • Kapazität: 0,1 μF
  • Spannung: 16 V
  • Dielektrikum: X8R
  • Klasse: 2
  • Gehäusecode: 1206 (3216 metric)
  • Länge: 3,3 mm
  • Höhe: 1,6 mm
  • Betriebstemperatur: Von -55 °C bis +150 °C
  • Stückzahl: 1

Hersteller

Siehe vollständige Beschreibung

Spezifikationen

Spezifikationen

Hauptspezifikationen

Tastaturen
Keramik
Stücke
1 Stück
Spannung
16 V

Aktuelle Kapazität

Kapazität (uF)
0,1 μF

Wichtige Informationen

Spezifikationen werden von offiziellen Hersteller-Websites gesammelt. Bitte überprüfen Sie die Spezifikationen, bevor Sie Ihren endgültigen Kauf tätigen. Wenn Sie ein Problem bemerken, können Sie melden Sie es hier

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Beschreibung & Spezifikationen

Der Keramikkondensator KEMET C1206x104g4hactu hat eine Kapazität von 0,1 μF und ist mit einem X8R-Dielektrikum der Klasse 2 gefertigt.

  • Typ: Keramik
  • Kapazität: 0,1 μF
  • Spannung: 16 V
  • Dielektrikum: X8R
  • Klasse: 2
  • Gehäusecode: 1206 (3216 metric)
  • Länge: 3,3 mm
  • Höhe: 1,6 mm
  • Betriebstemperatur: Von -55 °C bis +150 °C
  • Stückzahl: 1

Hersteller

Hauptspezifikationen

Tastaturen
Keramik
Stücke
1 Stück
Spannung
16 V

Aktuelle Kapazität

Kapazität (uF)
0,1 μF

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