Der PNY-Arbeitsspeicher MN16GSD42666-SB erweitert den Arbeitsspeicher eines Laptops um 16 GB mit einer Geschwindigkeit von 2666 MHz. Er hat das Format 260-Pin SO-DIMM und eine CAS-Latenz von 19. Seine Architektur ist Non-ECC Unbuffered.
Er arbeitet mit einer Spannung von 1,2 V und unterstützt die JEDEC-Spezifikationen sowie die Plug-&-Play-Installation.
- Speichertyp: DDR4
- Kapazität: 16 GB
- Anzahl der Module: 1
- Speichergeschwindigkeit: 2666 MHz
- CAS-Latenz: 19
- Format: 260-Pin SO-DIMM
- Architektur: Non-ECC Unbuffered
- Betriebsspannung: 1,2 V
- Kompatibilität: Laptop
- Installation: Plug & Play
- Spezifikationen: JEDEC
- Verwendung: Tägliche Nutzung und anspruchsvolle Anwendungen
- Produktnummer
- MN16GSD42666-SB
Hauptspezifikationen
- Gesamtspeicherkapazität
- 16 GB
- Tastaturen
- DDR4
- Computertyp
- Laptop
- Größe
- SO-DIMM GB
- Verwenden
- Einfach Alltag
- UDIMM
- Nein
- CUDIMM
- Nein
Besondere Merkmale
- Module
- 1
- CAS-Verzögerung
- 19
- RGB-Beleuchtung
- Nein
Wichtige Informationen
Spezifikationen werden von offiziellen Hersteller-Websites gesammelt. Bitte überprüfen Sie die Spezifikationen, bevor Sie Ihren endgültigen Kauf tätigen. Wenn Sie ein Problem bemerken, können Sie melden Sie es hier