Transistoren

Ipd70r600p7s Marking 70s600p7 700V Coolmosª P7 Leistungstransistor Dpak Infineon

Das CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungstransistoren (MOSFET), die nach dem Prinzip der Super Junction (SJ) entwickelt wurde und von Infineon Technologies stammt.

Siehe vollständige Beschreibung
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Beschreibung

Beschreibung

Die neueste Reihe CoolMOS™ P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell für kostenempfindliche Anwendungen entwickelt wurde, wie zum Beispiel:

  • Ladegeräte (Chargers),
  • Netzteile (Adapter),
  • Beleuchtung,
  • Fernseher,
  • und andere Unterhaltungselektronikgeräte.

Die neue Serie bietet alle Vorteile einer MOSFET-Technologie mit Super Junction, einschließlich hoher Schaltgeschwindigkeit, und kombiniert ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis mit höchster Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt die höchsten Standards in Energieeffizienz und unterstützt hochdichte Leistungsdesigns, was die Herstellung besonders dünner und kompakter Geräte ermöglicht.

Eigenschaften

  • Außergewöhnlich geringe Verluste dank der sehr niedrigen Werte von RDS(on) × Qg und RDS(on) × Eoss.
  • Ausgezeichnetes thermisches Verhalten.
  • Eingebaute Schutzdiode gegen elektrostatische Entladung (ESD).
  • Geringe Verluste beim Schalten (niedriges Eoss).
  • Produktzertifizierung nach JEDEC-Standards.

Vorteile

  • Wettbewerbsfähige Technologie in Bezug auf die Kosten.
  • Niedrigere Betriebstemperatur.
  • Hohe Beständigkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD).
  • Verbesserte Energieeffizienz bei höheren Schaltfrequenzen.
  • Möglichkeit, Geräte mit hoher Leistungsdichte und kleinem Format zu entwerfen.

Typische Anwendungen

Empfohlen für Flyback-Topologien, wie sie in folgenden Anwendungen verwendet werden:

  • Ladegeräte,
  • Netzteile,
  • Beleuchtungsanwendungen,
  • und andere ähnliche Anwendungen.

Hinweis

Für die Parallelschaltung mehrerer MOSFETs wird im Allgemeinen die Verwendung von Ferritperlen (ferrite beads) an der Gate-Leitung oder die Verwendung separater Treiberstufen totem-pole für jeden MOSFET empfohlen.

Hersteller

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Die neueste Reihe CoolMOS™ P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell für kostenempfindliche Anwendungen entwickelt wurde, wie zum Beispiel:

  • Ladegeräte (Chargers),
  • Netzteile (Adapter),
  • Beleuchtung,
  • Fernseher,
  • und andere Unterhaltungselektronikgeräte.

Die neue Serie bietet alle Vorteile einer MOSFET-Technologie mit Super Junction, einschließlich hoher Schaltgeschwindigkeit, und kombiniert ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis mit höchster Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt die höchsten Standards in Energieeffizienz und unterstützt hochdichte Leistungsdesigns, was die Herstellung besonders dünner und kompakter Geräte ermöglicht.

Eigenschaften

  • Außergewöhnlich geringe Verluste dank der sehr niedrigen Werte von RDS(on) × Qg und RDS(on) × Eoss.
  • Ausgezeichnetes thermisches Verhalten.
  • Eingebaute Schutzdiode gegen elektrostatische Entladung (ESD).
  • Geringe Verluste beim Schalten (niedriges Eoss).
  • Produktzertifizierung nach JEDEC-Standards.

Vorteile

  • Wettbewerbsfähige Technologie in Bezug auf die Kosten.
  • Niedrigere Betriebstemperatur.
  • Hohe Beständigkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD).
  • Verbesserte Energieeffizienz bei höheren Schaltfrequenzen.
  • Möglichkeit, Geräte mit hoher Leistungsdichte und kleinem Format zu entwerfen.

Typische Anwendungen

Empfohlen für Flyback-Topologien, wie sie in folgenden Anwendungen verwendet werden:

  • Ladegeräte,
  • Netzteile,
  • Beleuchtungsanwendungen,
  • und andere ähnliche Anwendungen.

Hinweis

Für die Parallelschaltung mehrerer MOSFETs wird im Allgemeinen die Verwendung von Ferritperlen (ferrite beads) an der Gate-Leitung oder die Verwendung separater Treiberstufen totem-pole für jeden MOSFET empfohlen.

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