Dieses Werk ist eine Studie über die Ablagerung von dünnen Schichten aus a-Si:H, die aus einer (SiH4 + H2)-Mischung mithilfe plasmazentrierter CVD-Prozesse hergestellt werden. Für die numerische Simulation wurde die Monte-Carlo-Methode verwendet. Das gewählte Kollisionskinetikmodell ermöglichte die Untersuchung physikochemischer Phänomene und Kollisionseigenschaften im Reaktorraum und auf der Substratoberfläche.

Zur Berechnung der Reaktivitätswahrscheinlichkeiten von SiHx-Radikalen mit der Oberfläche (SFRP) wurde ein neues Konzept eingeführt: die Reaktivitätswahrscheinlichkeit an der Stelle (SRP). Diese neu berechnete Wahrscheinlichkeit ermöglicht die analytische Bestimmung der Haft-, Rekombinations- und Oberflächenreaktivitätswahrscheinlichkeiten. Es ist bemerkenswert, dass dies das erste analytische Modell ist, das diese Wahrscheinlichkeiten berechnet.

Für Gas-Temperaturen im Bereich von 373 K bis 750 K beträgt der durchschnittliche berechnete SFRP-Wert für SiH3 0,30 ± 0,08. Dieser Wert stimmt mit den Messungen in den Arbeiten von Kessels und Hoefnagels überein. Zusätzlich wurde eine strömungsbezogene Behandlung durch die Lösung der Diffusionsgleichung vorgestellt.