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Integrierter Schaltkreis IC-Chip Ersatz-Controller IC-Chip MOSFET P-Kanal-Transistor 34 A 30 V 0,0067 Ohm 2-5q1a 8-Pin FET Universal-Leistung Toshiba Tpca8128 Tpca 8128 Art.-Nr.1-chip1288

Der integrierte Schaltkreis Toshiba TPCA8128 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Energiemanagementsysteme und Anwendungen mit Lithium-Ionen-Akkus.

  • Art: Integrierter Schaltkreis (IC-Chip)
  • Typ:...

Der integrierte Schaltkreis Toshiba TPCA8128 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Energiemanagementsysteme und Anwendungen mit Lithium-Ionen-Akkus.

  • Art: Integrierter Schaltkreis (IC-Chip)
  • Typ: P-Kanal-Leistungs-MOSFET
  • Drain-Source-Spannung (VDSS): -30 V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (ID): -34 A
  • Einschaltwiderstand (RDS(ON)): typisch 3,7 mΩ, maximal 4,8 mΩ
  • ...
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Beschreibung

Beschreibung

Der integrierte Schaltkreis Toshiba TPCA8128 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Energiemanagementsysteme und Anwendungen mit Lithium-Ionen-Akkus.

  • Art: Integrierter Schaltkreis (IC-Chip)
  • Typ: P-Kanal-Leistungs-MOSFET
  • Drain-Source-Spannung (VDSS): -30 V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (ID): -34 A
  • Einschaltwiderstand (RDS(ON)): typisch 3,7 mΩ, maximal 4,8 mΩ
  • Maximale Verlustleistung (PD): 45 W
  • Gehäusetyp: SOP Advance / SOP8A
  • Montage: Oberflächenmontage (SMD)
  • Kompatibilität: Toshiba

Hersteller

OEM
Siehe vollständige Beschreibung

Spezifikationen

Spezifikationen

Kompatibilität
Toshiba
Typ
IC-Chip

Wichtige Informationen

Spezifikationen werden von offiziellen Hersteller-Websites gesammelt. Bitte überprüfen Sie die Spezifikationen, bevor Sie Ihren endgültigen Kauf tätigen. Wenn Sie ein Problem bemerken, können Sie melden Sie es hier

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Beschreibung & Spezifikationen

Der integrierte Schaltkreis Toshiba TPCA8128 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Energiemanagementsysteme und Anwendungen mit Lithium-Ionen-Akkus.

  • Art: Integrierter Schaltkreis (IC-Chip)
  • Typ: P-Kanal-Leistungs-MOSFET
  • Drain-Source-Spannung (VDSS): -30 V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (ID): -34 A
  • Einschaltwiderstand (RDS(ON)): typisch 3,7 mΩ, maximal 4,8 mΩ
  • Maximale Verlustleistung (PD): 45 W
  • Gehäusetyp: SOP Advance / SOP8A
  • Montage: Oberflächenmontage (SMD)
  • Kompatibilität: Toshiba

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Toshiba
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